半導体を使った増幅およびスイッチング素子。
概要
半導体を使って電流ないし電圧による制御で電気抵抗が変わることを利用して増幅やスイッチングを行う素子。transfer(伝達)とresistor(抵抗)を組み合わせた造語。
大抵珪素が使われるが用途によっては砒化ガリウム(ガリウム砒素、GaAs)といった化合物半導体も用いる。
用語
N型半導体
高純度の4価元素(珪素など)の真性半導体に5価元素(燐、砒素など)を微量加えたもの。電子が余るので、余った電子が電荷の運び手となる。
P型半導体
高純度の4価元素の真性半導体に3価元素(硼素、アルミニウムなど)を微量加えたもの。電子が足りないので、電子の抜けたところが電荷の運び手となる。
バイポーラトランジスタ
P型半導体をN型半導体で挟んだ物(NPN型の場合)。電極はコレクタ(電源入力)とエミッタ(出力)、ベース(制御電極)とあり、ベースに流す電流に応じてエミッタから出力される電流が変化する。このときベースに流すわずかな電流でも出力は大きく変化する。PNP型ではコレクタ、エミッタ、ベースの極性が逆になる。
解説図などではコレクタとエミッタが同じ厚さでかかれ、ベースも厚く描かれているが、実際はベースは非常に薄く(数μm程)エミッタとベースの接合面積も狭い。また、個別の増幅率のバラつきが非常に大きいため、増幅を行う場合は、そのバラつきを吸収するために周辺回路を組む必要がある。
接合型電界効果トランジスタ
P型半導体で作られた通路にN型半導体を接合したもの(またはその逆)。電極は３端子の場合、ドレイン(高圧側)、ソース(低圧側)、ゲート(制御電極)とあり、(４端子の場合バックゲートという電極も加わるが、固定電位として扱われることが多い)ゲートの電界により電流を制御するので、バイポーラトランジスタとは異なり、電圧で電流を制御する。
接合型FETと略される。
金属酸化膜型電界効果トランジスタ
ゲートが半導体の酸化皮膜上の金属電極となっているもの。現在の集積回路内のトランジスタの主流でMOSFETと略される。
ただし、ゲートと通路が絶縁されていて、静電気による過電圧に弱く絶縁膜が破壊されやすいため、個別部品であれ集積回路であれ何らかの保護素子が内蔵されていることがよくある。
複合素子
ダーリントントランジスタ
トランジスタの出力を別のトランジスタの入力とするダーリントン接続が内部で行われているトランジスタ。増幅率が大きい。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
バイポーラトランジスタのベースにMOSFETを組み込んだトランジスタ。電圧で大電流を制御できる電力用途で使われる。
最近のVVVF車でおなじみのアレ。
逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
逆耐圧特性を持たせたIGBT。交流⇔交流の直接変換素子用に開発された。
