トランジスタの一種であり、その等価回路(電気回路として等しい構造)はバイポーラトランジスタのベース(制御電極)をMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)で制御する構造となっている。
名称はInsulated Gate Bipolar Transistorの略語。
IGBTもMOSFETも電圧で電流を制御するため制御回路が比較的小さくできるがMOSFETの場合、大電力制御にはオン抵抗の大きさ(※)から不向きなので、大電力制御には同じ電圧による制御でもIGBTが用いられる。鉄道車両用VVVFインバータでの使用例が有名だが、カメラのストロボ制御やIHヒーター、汎用インバータ、最近の白物家電など色々な場所で使用されている。ちなみに扱う電圧が低い場合はMOSFETがよく使われている。
※・・・耐電圧を高くすると構造上IGBTよりオン抵抗が大きくなってしまう。